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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.0
21.3
写入速度,GB/s
8.0
16.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
3610
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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