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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
比较
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
总分
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
13.0
15.3
写入速度,GB/s
8.0
11.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2268
2962
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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