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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
31
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
31
读取速度,GB/s
15.5
18.4
写入速度,GB/s
9.3
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2402
3500
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
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