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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
比较
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
总分
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
总分
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
52
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
52
读取速度,GB/s
15.5
10.0
写入速度,GB/s
9.3
7.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2402
2306
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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