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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
比较
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
总分
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
总分
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
23
读取速度,GB/s
15.5
14.5
写入速度,GB/s
9.3
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2402
2361
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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