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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
11.5
14.1
写入速度,GB/s
6.5
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2372
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
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