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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
11.5
17.9
写入速度,GB/s
6.5
13.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
3311
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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