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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
23
读取速度,GB/s
11.5
16.1
写入速度,GB/s
6.5
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2613
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
INTENSO 5641160 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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