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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Kingston 9905678-043.A00G 8GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
24
读取速度,GB/s
11.5
15.3
写入速度,GB/s
6.5
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2645
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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