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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
37
读取速度,GB/s
11.5
14.0
写入速度,GB/s
6.5
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2327
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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