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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
43
读取速度,GB/s
11.5
13.9
写入速度,GB/s
6.5
8.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2058
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
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Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
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