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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
比较
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
总分
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
总分
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
71
左右 49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
71
读取速度,GB/s
13.7
15.6
写入速度,GB/s
8.2
6.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1650
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
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EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
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