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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
比较
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
总分
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
13.7
19.6
写入速度,GB/s
8.2
18.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
4095
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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