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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.0
16.5
写入速度,GB/s
9.0
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3160
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB RAM的比较
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Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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