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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
52
读取速度,GB/s
13.0
20.5
写入速度,GB/s
9.0
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2472
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
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