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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
13.0
19.0
写入速度,GB/s
9.0
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3410
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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