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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.0
11.3
写入速度,GB/s
9.0
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2395
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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