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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB

总分
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 30
    左右 10% 更低的延时
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 13
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.4 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    13.0 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 13.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2489 left arrow 3238

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 9905711-032.A00G 8GB
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