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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
71
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
71
读取速度,GB/s
12.8
14.8
写入速度,GB/s
8.6
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
1866
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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