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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.8
19.5
写入速度,GB/s
8.6
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
3798
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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