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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.8
18.1
写入速度,GB/s
8.6
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
3536
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
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