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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
12.8
13.8
写入速度,GB/s
8.6
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
2456
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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