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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
38
读取速度,GB/s
12.8
14.6
写入速度,GB/s
8.6
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
2298
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kllisre 36JSF1G72PZ-1G9K1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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