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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
比较
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
总分
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
71
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
71
读取速度,GB/s
11.2
16.2
写入速度,GB/s
5.7
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1572
1979
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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