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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.2
14.3
写入速度,GB/s
8.4
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
2913
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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