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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.2
13.8
写入速度,GB/s
8.4
8.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
2443
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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