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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.2
13.1
写入速度,GB/s
8.4
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
2608
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB RAM的比较
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
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