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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
76
左右 67% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
76
读取速度,GB/s
12.8
13.5
写入速度,GB/s
8.3
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
1587
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB RAM的比较
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
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Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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