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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
55
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
55
读取速度,GB/s
12.8
9.3
写入速度,GB/s
8.3
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
2078
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB RAM的比较
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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