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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
12.8
13.8
写入速度,GB/s
8.3
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
1983
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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