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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
12.8
15.3
写入速度,GB/s
8.3
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
2696
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
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