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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
12.8
15.1
写入速度,GB/s
8.3
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
2631
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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