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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

总分
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

总分
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB 需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 35
    左右 29% 更低的延时
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.3 left arrow 8.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 11.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1896 left arrow 2631

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB RAM的比较

Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
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Kingston KF552C40-16 16GB
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EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
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内存RAM
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Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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内存RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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