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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
比较
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
总分
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
总分
AMD R744G2400U1S 4GB
差异
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
12.9
16.7
写入速度,GB/s
8.3
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2144
2862
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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