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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
比较
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
总分
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
39
读取速度,GB/s
12.9
7.7
写入速度,GB/s
8.3
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2144
1768
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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