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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
比较
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
总分
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
总分
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
差异
规格
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
12.9
15.3
写入速度,GB/s
8.3
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2144
2696
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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