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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
12.0
11.1
写入速度,GB/s
7.5
6.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
1254
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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