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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
12.0
18.0
写入速度,GB/s
7.5
14.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3490
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
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