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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
12.0
16.7
写入速度,GB/s
7.5
14.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3598
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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