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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
12.0
18.9
写入速度,GB/s
7.5
16.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3860
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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