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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
12.0
19.4
写入速度,GB/s
7.5
16.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3929
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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