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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
12.0
14.8
写入速度,GB/s
7.5
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2336
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
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Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
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