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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
37
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
19
读取速度,GB/s
12.0
18.7
写入速度,GB/s
7.5
14.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3220
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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