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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
57
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
57
读取速度,GB/s
12.0
9.3
写入速度,GB/s
7.5
7.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2233
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
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