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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

总分
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

总分
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB 需要考虑的原因
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 37
    左右 -37% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1853 left arrow 2379

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB RAM的比较

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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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内存RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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内存RAM
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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