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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
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Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
43
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
21
读取速度,GB/s
13.9
18.1
写入速度,GB/s
8.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3033
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
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Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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