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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
35
读取速度,GB/s
13.9
17.2
写入速度,GB/s
8.4
16.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3225
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
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