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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
13.9
18.1
写入速度,GB/s
8.4
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3779
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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