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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
13.9
15.8
写入速度,GB/s
8.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2935
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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