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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
13.9
9.8
写入速度,GB/s
8.4
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2229
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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