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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
43
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
39
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
8.4
12.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3000
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
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